Panoramica del prodotto
Il nostro sistema IBE (Ion Beam Etching) è un'apparecchiatura per la lavorazione dei materiali ad alta-precisione progettata per il settore della micro-nanofabbricazione. Utilizza un fascio ionico focalizzato e controllabile per eseguire l'incisione fisica sulla superficie di materiali a pellicola sottile-, consentendo processi di incisione selettiva o di sollevamento-off con elevata precisione.
Questo sistema è progettato in modo professionale per elaborare un'ampia gamma di materiali a film sottile-, inclusi ma non limitati a Cu, Cr, Pt, Au, Ti, Ag e Al₂O₃. Supporta dimensioni wafer standard di 6 pollici e 8 pollici, rendendolo altamente compatibile con i principali processi di produzione di semiconduttori e micro-sistemi elettro-meccanici (MEMS). Sfruttando la tecnologia di incisione a bassa-temperatura e-danni ridotti, fornisce una soluzione ideale per la preparazione di micro-nanodispositivi ad alte-prestazioni.
Vantaggi
Alta precisione e controllo del processo
Il sistema è integrato con un sistema avanzato di rilevamento degli endpoint di incisione, che consente il monitoraggio-in tempo reale e il controllo preciso dell'intero processo di incisione. Ciò garantisce ripetibilità e precisione eccellenti, con un'uniformità di incisione inferiore o uguale a ±5% (sia all'interno del wafer che da wafer-a-wafer), garantendo risultati costanti di alta-qualità tra i lotti di produzione.
Compatibilità di processo superiore
Soddisfa i requisiti di incisione multi-angolo, bassa-temperatura (0 gradi – 30 gradi) e basso-danno. Questa capacità è fondamentale per proteggere i materiali sensibili alla temperatura-e fragili, ridurre al minimo i danni al substrato e preservare le proprietà intrinseche dei film sottili, migliorando così in modo significativo la resa e le prestazioni del dispositivo.
Configurazione flessibile e scalabile
Per soddisfare le diverse esigenze di produzione e ricerca e sviluppo, il sistema offre un'architettura opzionale di strumenti cluster. Questo design modulare consente l'integrazione di più camere di processo, facilitando l'integrazione perfetta dei processi, la produzione di volumi elevati-e l'automazione efficiente del flusso di lavoro, rendendolo adatto sia alla ricerca di laboratorio che alla produzione di massa industriale.
Applicazioni
Il sistema di incisione a fascio ionico è un'apparecchiatura fondamentale nel campo della micro-nanoproduzione avanzata, con un'ampia gamma di applicazioni:
1. Fabbricazione di dispositivi a semiconduttore
Viene utilizzato per la modellazione precisa di elettrodi metallici, interconnessioni e strutture di gate nei circuiti integrati (IC), nonché per la rifinitura e la regolazione di resistori e condensatori a film sottile-.
2. Produzione MEMS e NEMS
Svolge un ruolo fondamentale nella fabbricazione di micro-sensori, micro-attuatori e altri dispositivi MEMS/NEMS, consentendo la creazione di microstrutture ad alto-rapporto d'aspetto-e strutture sospese con elevata precisione.
3. Produzione di dispositivi optoelettronici
Viene applicato alla lavorazione di materiali a pellicola-sottile in laser, fotorilevatori e guide d'onda ottiche, facilitando la produzione di componenti optoelettronici ad alte-prestazioni.
4. Packaging e interconnessione avanzati
Viene utilizzato nelle tecnologie di packaging avanzate per l'incisione selettiva degli strati di ridistribuzione (RDL) e la preparazione di strutture bump ad alta-precisione.
Domande frequenti
D: 1. Cos'è un sistema Ion Beam Etching (IBE)?
R: Un sistema IBE (Ion Beam Etching) è un'apparecchiatura di elaborazione micro-nano ad alta-precisione che utilizza un raggio ionico focalizzato per eseguire l'incisione fisica su materiali a pellicola-sottile. Viene utilizzato principalmente per l'incisione e la rimozione selettiva di vari film sottili ed è ampiamente utilizzato nei semiconduttori, MEMS, optoelettronica e altri campi.
D: 2. Per quali materiali è adatto il Sistema IBE?
R: Questo sistema IBE è adatto per l'incisione o la rimozione selettiva di materiali a film sottile-come Cu, Cr, Pt, Au, Ti, Ag e Al₂O₃ e può soddisfare le esigenze di lavorazione di vari metalli comuni e film sottili dielettrici.
D: 3. Quali dimensioni di wafer supporta la macchina per l'incisione a fascio ionico?
R: La macchina per l'incisione a fascio ionico supporta due dimensioni di wafer standard: 6 pollici e 8 pollici, che sono compatibili con le principali specifiche di elaborazione dei wafer del settore e soddisfano le esigenze di ricerca e sviluppo e di produzione in piccoli-lotti.
D: 4. Quali sono i vantaggi della tecnologia di incisione con fascio ionico?
R: L'incisione con fascio ionico presenta i vantaggi di bassa temperatura (0 gradi ~ 30 gradi), basso danno, elaborazione multi-angolo ed elevata uniformità. Può ridurre lo stress termico e il danno materiale e garantire la stabilità e la coerenza del processo di incisione.
D: 5. Qual è l'uniformità di incisione del sistema IBE?
Sì, la macchina per l'incisione a fascio ionico è integrata con un sistema avanzato di rilevamento dell'endpoint dell'incisione, in grado di monitorare il processo di incisione in tempo reale, realizzare un controllo preciso del processo di incisione ed evitare sovra-incisione o sotto-incisione.
D: 6. La macchina per l'incisione a fascio ionico dispone di una funzione di rilevamento del punto finale?
R: Sì, la macchina per l'incisione a fascio ionico è integrata con un sistema avanzato di rilevamento del punto finale dell'incisione, in grado di monitorare il processo di incisione in tempo reale, realizzare un controllo preciso del processo di incisione ed evitare sovra-incisione o sotto-incisione.
D: 7. Il sistema IBE può essere configurato con più camere di processo?
R: Sì, il sistema IBE supporta un'architettura cluster opzionale, che può essere dotata di più camere di processo di incisione per soddisfare le esigenze di commutazione flessibile del processo e di migliore efficienza produttiva.
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