Panoramica del prodotto
Il sistema Nice-Tech' ICP da 8-pollici-CVD è progettato per la deposizione di film sottili-su wafer da 8-pollici. Genera plasma ad alta densità tramite accoppiamento induttivo (ICP) e stabilisce la polarizzazione tramite accoppiamento capacitivo (CCP), consentendo la deposizione a bassa temperatura.
Conforme agli standard SEMI, utilizza componenti fab universali da 8 pollici e ha superato severi test di stabilità. Il sistema supporta wafer da 8/6 pollici (tramite elettrodi opzionali), adattandosi alla produzione di massa e alle diverse esigenze di processo.
Vantaggi
Deposizione a bassa-temperatura e alta-densità
Deposita film ad alta-densità a<120°C, comparable to LPCVD films grown at 750°C, avoiding high-temperature damage to wafers.
Prestazioni cinematografiche superiori
La densità della corrente di dispersione corrisponde alle pellicole preparate ALD-, garantendo stabilità elettrica e affidabilità del dispositivo.
Riempimento con-rapporto d'aspetto- elevato
Consente il riempimento uniforme di fori/scanalature profonde, risolvendo problemi di riempimento irregolare in strutture complesse.
Compatibilità flessibile
Funziona con wafer da 8/6 pollici; le parti standardizzate riducono i costi di manutenzione e facilitano l'integrazione con le linee esistenti.
Applicazioni
Deposizione dello strato isolante
Per dispositivi logici/di memoria da 8 pollici (ad esempio DRAM, NAND). Deposita strati isolanti SiO₂/SiNₓ per garantire un isolamento elettrico affidabile tra i componenti.
Riempimento della struttura con rapporto di aspetto-elevato-
Applicato nei semiconduttori di potenza e MEMS. Riempie trincee/cavità profonde con elevata precisione per migliorare l'integrità strutturale del dispositivo.
Deposizione avanzata di imballaggi
Utilizzato in imballaggi a livello di wafer da 8-pollici (WLCSP, SiP). Deposita pellicole isolanti/protettive per rafforzare l'affidabilità dell'imballaggio.
Preparazione di pellicole funzionali speciali
Prepara pellicole funzionali speciali: rivestimenti anti-riflesso per fotorilevatori (aumentano l'assorbimento della luce) e pellicole dielettriche a bassa-perdita per dispositivi RF (garantiscono l'integrità del segnale).
Parametri
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Categoria |
Sistema ICP-CVD da 8-pollici |
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Compatibilità con i wafer |
8 pollici (primario); 6 pollici (opzionale, tramite elettrodi compatibili) |
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Temperatura di deposizione |
Inferiore o uguale a 120 gradi (processo a bassa-temperatura) |
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Generazione del plasma |
Plasma ad accoppiamento induttivo (ICP) + Plasma ad accoppiamento capacitivo (CCP) |
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Densità della pellicola |
Paragonabile ai film LPCVD cresciuti a 750 gradi |
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Corrente di dispersione della pellicola |
Equivalente ai film preparati mediante Atomic Layer Deposition (ALD) |
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Capacità di riempimento con-rapporto d'aspetto-elevato |
Riempimento uniforme per fori/scanalature profonde (adatto per strutture di semiconduttori avanzate) |
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Materiali depositabili |
SiO₂, SiNₓ e altri film funzionali (personalizzabili in base alle esigenze del processo) |
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Camera di processo |
Design ad alto-vuoto (garantisce una composizione pura della pellicola e una deposizione stabile) |
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Conformità del settore |
Conforme agli standard SEMI; compatibile con le linee di produzione di wafer fab da 8 pollici |
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Componenti chiave |
Parti standard internazionali (riduce le difficoltà e i costi di manutenzione) |
Domande frequenti
D: Quali dimensioni di wafer supporta il sistema?
A: 8 pollici (primario) e 6 pollici (opzionale tramite elettrodi compatibili).
D: Qual è la temperatura massima di deposizione?
R: Inferiore o uguale a 120 gradi (processo a bassa-temperatura per evitare danni ai wafer).
D: Può riempire strutture con proporzioni-alte-alte?
R: Sì, consente il riempimento uniforme di fori/scanalature profonde.
D: Il sistema è compatibile con gli standard del settore?
R: Pienamente conforme agli standard SEMI, facile da integrare con i fab da 8 pollici esistenti.
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