Panoramica del prodotto

Nella linea di produzione dei semiconduttori, il sistema di rivestimento e sviluppo è un'apparecchiatura chiave indispensabile, essenziale dal prototipo iniziale del chip alla formazione di schemi circuitali. Dopo aver ricevuto il substrato, il sistema di rivestimento e sviluppo attiva innanzitutto il sistema di rotazione ad alta-velocità. Il fotoresist si diffonde uniformemente con la piattaforma girevole a velocità-controllata con precisione e anche i bordi a livello-millimetrico possono essere rivestiti in modo uniforme-questo passaggio è il test di precisione più importante e una leggera deviazione influenzerà le successive prestazioni del chip.

Il fotoresist rivestito deve ancora essere polimerizzato. La piastra riscaldante integrata nel sistema di rivestimento e sviluppo-si riscalderà gradualmente per far aderire saldamente lo strato adesivo al substrato. Dopo che la macchina litografica ha completato l'esposizione, subentra immediatamente nel processo di sviluppo. Controllando la temperatura e l'intensità di spruzzatura dello sviluppatore, questo rimuove lo strato adesivo in eccesso non esposto e viene così rivelato il modello di base del circuito integrato.

Nell'uso pratico, la precisione della larghezza della linea del sistema di rivestimento e sviluppo è particolarmente affidabile ed è adatta a vari processi di produzione di chip. Ottima inoltre la capacità produttiva, che nella linea di produzione è maggiormente apprezzata. Può elaborare un gran numero di substrati all'ora, pur utilizzando una memoria ridotta. Può funzionare ininterrottamente per più di dieci ore in modo stabile e tenere il passo con il ritmo della produzione di massa.

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Vantaggi

La produzione di chip ad alta-precisione si basa sulla tecnica del rivestimento a rotazione di precisione, che garantisce un'applicazione coerente del fotoresist e riduce significativamente le successive difficoltà di lavorazione.

Problemi complessi come l'allineamento temporale e il trasferimento dei wafer tra dispositivi possono essere facilmente gestiti da speciali metodi di controllo collaborativo.

Progressi significativi nella precisione del controllo della temperatura, nell’omogeneità a livello di nanoscala e nel controllo dei difetti hanno portato a tassi di rendimento superiori al 90%.

La soluzione specializzata di rivestimento a rotazione è adatta a tutti i tipi di substrato e può essere applicata a wafer con spessori diversi e forme insolite.

Uniformità ed efficienza sono bilanciate da velocità di centrifuga e pressione di rivestimento ottimizzate, che riducono notevolmente le perdite di rendimento e facilitano la produzione di trucioli con forme irregolari.

Parametri

①DS100

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Panoramica del dispositivo DS 100
Dimensioni del dispositivo (mm)	*282510801600* 2C2D+Interfaccia	Dimensione del wafer	Wafer da 2-6 pollici (50 mm-100 mm)
WPH	Inferiore o uguale a 160 pezzi	MTTR	Meno o uguale a 4 ore
Valutazione di merito	Class1@0.1μm Solo area di trasferimento wafer	MTBF	Maggiore o uguale a 1000 ore
Processo applicabile	Io linea, PI, PR	MTBM	>sei mesi
Materiale di contatto del wafer	PEEK/PTFE/CERAMICA	Tasso di rottura del wafer	Inferiore o uguale allo 0,01%
Cassette	SMIF; CASSETTA APERTA	TEMPO DI AGGIORNAMENTO	Maggiore o uguale al 95%
Area di applicazione	Semiconduttore composto, circuito integrato, dispositivo di potenza, progetto di ricerca scientifica, dispositivo ottico, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer deformante, wafer quadrato	Ambiente di esecuzione del software	Sistema operativo Windows 10 o successivo
Larghezza minima della linea	350nm	Modulo piastre fredde e calde	(HP; CPL; ADH; HHP) Inferiore o uguale a 14 pezzi

②DS200

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Panoramica del dispositivo DS 200
Dimensioni del dispositivo (mm)	*166015102000* (Progettazione della torre)	Dimensione del wafer	Wafer da 2-6 pollici (50 mm-100 mm)
WPH	Meno o uguale a 150 pezzi	MTTR	Meno o uguale a 4 ore
Valutazione di merito	Class1@0.1μm Solo area di trasferimento wafer	MTBF	Maggiore o uguale a 1000 ore
Processo applicabile	Io linea, PI, PR	MTBM	>sei mesi
Materiale di contatto del wafer	PEEK/PTFE/CERAMICA	Tasso di rottura del wafer	Inferiore o uguale allo 0,01%
Cassette	SMIF; CASSETTA APERTA	TEMPO DI AGGIORNAMENTO	Maggiore o uguale al 95%
Area di applicazione	Semiconduttore composto, LED, dispositivo ottico, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer deformante, wafer quadrato	Ambiente di esecuzione del software	Sistema operativo Windows 10 o successivo
Larghezza minima della linea	350nm	Modulo piastre fredde e calde	(HP; CPL; ADH; HHP) Inferiore o uguale a 14 pezzi

③DS300

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Panoramica del dispositivo DS300
Dimensioni del dispositivo (mm)	*285013602200* 2C2D+Interfaccia	Dimensione del wafer	Wafer da 4-8 pollici (100 mm- 200 mm)
WPH	Inferiore o uguale a 160 pezzi	MTTR	Meno o uguale a 4 ore
Valutazione di merito	Class1@0.1μm Solo area di trasferimento wafer	MTBF	Maggiore o uguale a 1000 ore
Processo applicabile	Io linea, PI, PR	MTBM	>sei mesi
Materiale di contatto del wafer	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Tasso di rottura del wafer	Inferiore o uguale allo 0,01%
Cassette	SMIF; CASSETTA APERTA	TEMPO DI AGGIORNAMENTO	Maggiore o uguale al 95%
Area di applicazione	Semiconduttore composto, circuito integrato, dispositivo di potenza, chip di memoria, progetto di ricerca scientifica, dispositivo ottico, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer di deformazione, wafer quadrato	Ambiente di esecuzione del software	Sistema operativo Windows 10 o successivo
Larghezza minima della linea	180nm	Modulo piastre fredde e calde	(HP; CPL; AD; DHP) Inferiore o uguale a 24PCS

④DS400

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Panoramica del dispositivo DS 400
Dimensioni del dispositivo (mm)	*397516552550* 4C4D+Interfaccia	Dimensione del wafer	Wafer da 6-8 pollici (150 mm- 200 mm)
WPH	Inferiore o uguale a 180 pezzi	MTTR	Meno o uguale a 4 ore
Valutazione di merito	Class1@0.1μm Solo area di trasferimento wafer	MTBF	Maggiore o uguale a 1000 ore
Processo applicabile	Linea I, KrF, ArF, PI, PR, Pacchetto	MTBM	>sei mesi
Materiale di contatto del wafer	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Tasso di rottura del wafer	Inferiore o uguale allo 0,01%
Cassette	FOUP; SMIF; CASSETTA APERTA	TEMPO DI AGGIORNAMENTO	Maggiore o uguale al 95%
Area di applicazione	Semiconduttore composto, circuito integrato, dispositivo di potenza, chip di memoria, progetto di ricerca scientifica, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer deformante, wafer quadrato	Ambiente di esecuzione del software	Sistema operativo Windows 10 o successivo
Larghezza minima della linea	90nm	Modulo piastre fredde e calde	(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP; HCP) Inferiore o uguale a 38PCS

⑤DS 500

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Panoramica del dispositivo DS 500
Dimensioni del dispositivo (mm)	*537021002650* 4C4D+Interfaccia	Dimensione del wafer	Wafer da 8- 12 pollici (200 mm- 300 mm)
WPH	Meno o uguale a 200 pezzi	MTTR	Meno o uguale a 4 ore
Valutazione di merito	Class1@0.1μm Solo area di trasferimento wafer	MTBF	Maggiore o uguale a 1000 ore
Processo applicabile	Linea I, KrF, ArF, PI, PR, Pacchetto	MTBM	>sei mesi
Materiale di contatto del wafer	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Tasso di rottura del wafer	Inferiore o uguale allo 0,01%
Cassette	FOUP; SMIF	TEMPO DI AGGIORNAMENTO	Maggiore o uguale al 95%
Area di applicazione	Semiconduttore composto, circuito integrato, dispositivo di potenza, chip di memoria, progetto di ricerca scientifica, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer deformante, wafer quadrato, CoWoS	Ambiente di esecuzione del software	Sistema operativo Windows 10 o successivo
Larghezza minima della linea	45nm	Modulo piastre fredde e calde	(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP; HCP) Inferiore o uguale a 42PCS